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280139 UE Applied Crystal Structure Determination (2024W)
Continuous assessment of course work
Labels
Registration/Deregistration
Note: The time of your registration within the registration period has no effect on the allocation of places (no first come, first served).
- Registration is open from Th 05.09.2024 00:00 to Mo 23.09.2024 23:59
- Registration is open from We 25.09.2024 00:00 to Th 03.10.2024 23:59
- Deregistration possible until Th 31.10.2024 23:59
Details
max. 20 participants
Language: German
Lecturers
Classes (iCal) - next class is marked with N
UZA II: Room 2B382
- Tuesday 01.10. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
- Tuesday 08.10. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
- Tuesday 15.10. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
- Tuesday 22.10. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
- Tuesday 29.10. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
- Tuesday 05.11. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
- Tuesday 12.11. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
- Tuesday 19.11. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
- Tuesday 26.11. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
- Tuesday 03.12. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
- Tuesday 10.12. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
- Tuesday 17.12. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
- Tuesday 07.01. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
- Tuesday 14.01. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
- N Tuesday 21.01. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
- Tuesday 28.01. 08:00 - 12:00 Ort in u:find Details
Information
Aims, contents and method of the course
Assessment and permitted materials
Die Leistungskontrolle der LV erfolgt zum überwiegenden Teil (2/3) über die Beurteilung von Protokollen, in denen die Studierenden die in den jeweiligen Übungseinheiten durchgeführten experimentellen Arbeiten, Strukturlösungs- und Verfeinerungsabläufe sowie (gegebenenfalls) die erzielten Ergebnisse aufbereiten und zusammenfassend darstellen sollen. Generell besteht in den Übungen Anwesenheitspflicht; ein gewisses Ausmaß an Fehlstunden - und damit fehlenden Protokollen - wird jedoch toleriert, geht aber zu einem kleineren Anteil (1/3) in die Beurteilung der LV ein.
Minimum requirements and assessment criteria
Achtung: Grundlagenkenntnisse der Röntgenbeugung werden vorausgesetzt und stellen die Mindestanforderungen dar!
Modulziele:
Die Studierenden haben grundlegende praktische Fertigkeiten für Einkristallstrukturuntersuchungen geeignete Kristallproben auszuwählen, zu präparieren und die Messung von Röntgenbeugungsintensitäten am Einkristalldiffraktometer durchzuführen. Sie erlernen die Anwendung der verschiedenen Methoden zur Strukturlösung wie auch Strukturverfeinerungen praktisch durchzuführen und die Ergebnisse der Modellanpassungen kritisch zu interpretieren bzw. für wissenschaftliche Darstellungen aufzubereiten.
Beurteilungsmaßstab:
Die Vollständigkeit und inhaltliche Richtigkeit der zu führenden Protokolle sowie die aktive Mitarbeit und Anwesenheit bilden die Grundlagen des Beurteilungsmaßstabs der LV.
Modulziele:
Die Studierenden haben grundlegende praktische Fertigkeiten für Einkristallstrukturuntersuchungen geeignete Kristallproben auszuwählen, zu präparieren und die Messung von Röntgenbeugungsintensitäten am Einkristalldiffraktometer durchzuführen. Sie erlernen die Anwendung der verschiedenen Methoden zur Strukturlösung wie auch Strukturverfeinerungen praktisch durchzuführen und die Ergebnisse der Modellanpassungen kritisch zu interpretieren bzw. für wissenschaftliche Darstellungen aufzubereiten.
Beurteilungsmaßstab:
Die Vollständigkeit und inhaltliche Richtigkeit der zu führenden Protokolle sowie die aktive Mitarbeit und Anwesenheit bilden die Grundlagen des Beurteilungsmaßstabs der LV.
Examination topics
wird in der Lehrveranstaltung bekannt gegeben
Reading list
deutschsprachig:
Massa, W.: Kristallstrukturbestimmung. Springer Spektrum
Massa, W.: Kristallstrukturbestimmung. Springer Spektrum
Association in the course directory
MA-ERD-W3.20
Last modified: Tu 24.09.2024 13:46
Empfohlene Teilnahmevoraussetzungen:
MA-ERD-M-3, MA-ERD-W-2.9: Kristallographie
MA-ERD-M-5, MA-ERD-W-2.11: Diffraktionsmethoden
Inhalte:
Syntheseexperimente zur Herstellung geeigneter anorganischer und/oder metallorganischer kristalliner Phasen; Auswahl und Präparation von Einkristallen und Vorbereitung für Einkristall-Röntgenbeugungsmessungen; Ermittlung von Zellparametern aus Kurzmessungen zur Suche in Strukturdatenbanken; vollständige Röntgenbeugungsmessungen von geeigneten Einkristallen und entsprechende Datenaufbereitung; Anwendung von Programmen (i.w. SHELX) zur Ermittlung eines Strukturmodells und Programmen zur Kristallstrukturverfeinerung; Anleitung zu kritischer Interpretation von Verfeinerungsergebnissen; Möglichkeiten geeigneter grafischer Darstellung der Kristallstrukturen; Erstellung von Datensets zur Einreichung in Datenbanken.